激光辅助键合备忘--炬光科技投资备忘2024-3-9

　　全球移动通信系统激光键合尺寸安全性凯时kb88手机客户端锂蓄电池未来支撑炬光快速成长的业务，除了激光雷达，还有泛半导体业务。事实上，23年三季度的拐点，很大程度上就是泛半导体业务的订单。在泛半导体业务中，激光辅助键合模块是一个非常值得期待的产品。整理一下相关的资料，对这个产品技术做一个备忘

　　1 炬光在激光辅助键合上公开信息的时间线日，炬光科技全新发布Flux H系列可变光斑激光系统

　　按照炬光的官方描述：Flux H系列可变光斑激光系统，通过不同的激光功率和灵活的光斑尺寸选择，结合集成度极高的加工头设计，适用于

　　、激光辅助键合、激光巨量焊接、激光干燥、材料表面处理等各类应用。可变光斑激光系统应该是泛半导体的技术平台。激光辅助键合只是这个技术平台上的一个具体应用场景。

　　激光辅助键合（Laser Assisted Bonding，LAB）是应用半导体集成电路后道封装制程领域的一项技术，

　　。该技术可用于对速度、精度和局部非常小区域的精确加热、控制有高度需求的场合，例如芯片到基板、芯片到晶圆键合。相对于传统的回流焊、TCB，激光局部加热不需要额外的措施就避免热膨胀。激光辅助键合在键合温度、作业时间、热影响区大小等方面具有明显的优势，是高精密芯片直接键合的最佳选择这个回复有几个信息要点：

　　硅中介层（interposer）和芯粒堆叠，涉及到先进封装技术中的主流应用chiplet和晶圆级封装（WLP）和一个先进封装的一个核心工艺interposer。注：硅中介层（interposer）是先进封装四个核心技术之一（另外三个是：Bumping（凸点），RDL（ReDistribution Layer，重布线层），TSV（Through Silicon Via,硅通孔 ））

　　目前公司在LAB激光辅助键合应用中取得突破性进展，在拿到中国、韩国先进封装客户的样机订单后，终端客户验证效果良好，已获得重复订单需求，预计下半年将迎来小批量订单。

　　这意味着LAB 从研发成功到样品，再到验证效果好拿到小批量出货用了不到一年的时间，这个进展在精密制造领域应该是非常快且顺利的。一个月后披露的三季报合同负债数据，以及业绩交流会的业务拆分提供了更多的细节支持。

　　为了理解和判断炬光激光辅助键合（基于Flux-H系统）的市场空间，我对激光辅助键合以及先进封装的一些基本概念做了一个简单梳理：

　　：键合将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。键合工艺包括硅/硅键合和硅/玻璃键合，将硅片和玻璃片;或硅片和硅片通过加热、加电压或加压力后，使其键合在一起，键合界面有良好的气密性和长期稳定性。此外还包括介质键合，共晶键合等。 （摘自链接：网页链接）

　　芯粒堆叠技术是将传统上较大型的集成电路分拆成许多较小的功能模块也就是所谓的芯粒，分别进行优化。再利用这些已优化的小芯片组织新的子系统。这样设计的好处是可以重复使用IP，大幅加速产品设计的速度以及降低设计成本。

　　将不同制程或不同材料的晶片堆叠在一起，有两种方式晶片－晶圆（Chip-on-Wafer；CoW）及晶圆－晶圆（Wafer-on-Wafer；WoW）。晶圆间键合的技术又有很多种，主要是铜铜混合键合和基于焊球的晶圆间键合技术。其中基于焊球的晶圆间键合技术又可以细分为：回流焊（mass reflow）, 热压键合（Thermo Compression Bonding or TCB）和激光辅助键合（Laser Assisted Bonding, or LAB）

　　激光辅助键合是指将激光束照射到芯粒或需要焊接的器件上使芯粒及器件数秒内由室温升至焊接温度，将其焊接在基板、interposer或堆叠的另外一个芯粒上。LAB整个系统由高功率二极管激光源、光纤、准直仪、以及产生平顶激光束的均化器四部分组成。

　　总的来说，这两个资料给我这样一个印象：随着封装技术的迭代，回流焊在先进封装中会逐渐被TCB和LAB取代。